分子束外延生长设备
联系人
汤辰佳
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购买日期
2025/12/08
主要规格和技术参数
生长室I
· 极限真空5E-11Torr
· 最大2英寸衬底
· 9个源炉口
· 一个Egun源炉,6个pocket
· 衬底最高加热至1600°C
生长室II
· 极限真空5E-11Torr
· 最大2英寸衬底
· 6个源炉口
· 一个Egun源炉
· 衬底最高加热至1400°C
缓冲室
·极限真空5E-10Torr
·多腔互联
·线性手动传输
进样室
· 快开门设计
· 可装载6片晶圆
主要功能及特色
原子级精度薄膜生长的薄膜沉积系统，核心结构包括超高真空腔体、分子束源、衬底加热模块及原位监测装置反射高能电子衍射仪
主要附件及配置
2025.12.8学院提交申请，由2023101181 分子束外延生长设备 5212864.50 、2023101180 分子束外延生长设备 5426943.50、2024104575 原位RHEED图像采集与分析装置 155462.00、2024104681 标准中温蒸发源 73800.00 、2022103963 国产MBE中转腔体 133500.00集成