主要规格和技术参数
1.炉管：Tube1、Tube2、Tube3、Tube4
2.晶圆尺寸:4/6寸；最多放置25片
3.恒温区：恒温区>450 mm，三段温区；温控系统：能够实现3温区同步升温
4.极限真空：Tube1 常压，Tube2＜10mTorr，Tube3＜10mTorr，Tube4＜10mTorr
5.漏率：Tube2＜10mTorr/min，Tube3＜10mTorr/min，Tube4＜10mTorr/min
主要功能及特色
低压化学气相沉积系统在4/6英寸半导体器件制造过程中，Tube1用于干湿法氧化/退火，Tube2用于沉积低应力氮化硅及化学计量比氮化硅，Tube3用于掺杂/非掺杂多晶硅，Tube4用于沉积磷硅玻璃及低温氧化硅薄膜
主要附件及配置
每个炉管分别配置4/6寸标准晶舟，最多可放置25片晶圆；每个炉管分别配置独立的取放晶舟夹具；