配置终点侦测：激光波长670nm，光斑尺寸＜80μm，移动平台行程25mm*25mm（步进2μm），视场1.5mm*1.5mm（150mm距离） 本底真空： 3*10-6Torr（反应腔，12小时内达到）；1*10-1mbar（传送腔） 真空漏率：≤5mTorr/min 射频发生器：上电极：2MHz，最大功率2KW；下电极：13.56MHz，最大功率600W 下电极温度：最大60℃ 样品最大尺寸：4寸 刻蚀速率：＞200nm/min 选择比（SPR3612）：＞1:1 片内/片间均匀性：＜3%

采用感应耦合等离子体方式产生高密度高功率等离子体，主要进行SiN和SiO2的刻蚀，实现将光刻胶和掩膜图形转移。

PM 反应腔室、射频源、真空系统、气路系统、Load Lock预真空室、控制系统与软件等