反应腔本底真空：≤3*10-6Torr 真空漏率：≤5mTorr/min 气路配置：SF6，C4F8, O2和Ar 射频发生器：上电极：2MHz，最大功率3500W； 下电极：100KHz，最大功率100W 下电极温度：-40℃~40℃ 样品尺寸：支持4寸及以下样品 配置终点侦测：激光波长670nm，光斑尺寸＜80μm，视场1.5mm*1.5mm 刻蚀速率：~5μm/min 刻蚀深度：可达500μm 选择比（SPR220-7）：80:1 选择比（SiO2）：150:1 晶圆内均一性：＜±3%（4inch）

PT深硅刻蚀机是采用Bosch工艺进行刻蚀。Bosch工艺主要是刻蚀气体和钝化气体通过快速切换的阀门进行切换，实现刻蚀与钝化交替进行的时分复用工艺，并最终实现具有高深宽比的深硅刻蚀。

PM 反应腔室、射频源、真空系统、气路系统、Load Lock预真空室、控制系统与软件等