磁控溅射薄膜沉积系统
磁控溅射薄膜沉积系统 预约   送样
联系人
张超
邮箱
zhangchao1@shanghaitech.edu.cn
电话
021-20685517
购买日期
2018/11/09
主要规格和技术参数
极限真空:8x10-8 Torr Ar流量:0-100sccm N2流量:0-20sccm O2流量:0-20sccm 溅射最低/大压强:1mTorr/15 mTorr 靶位和尺寸:4靶位,3英寸靶枪。2和4靶位为强磁靶,1和3靶位为普通磁性靶。 冷泵抽速:1500L/S,腔体压强进入9x10-7Torr大约70min。 基底温度:25-800℃ 最大基底尺寸:6寸(100mm)
主要功能及特色
磁性材料溅射、非磁性金属材料溅射、氧化物或氮化物溅射 目前提供溅射的靶材有:Al、Ni、SiO2、Cr、Cu、Pt、Au、Ti、ITO、Ag、Co、TiO2、Pd、HfO2、V2O5、ZnO、W、FeNi
主要附件及配置
本设备配置有3寸4靶枪,配备2台600瓦射频电源,2台1000瓦直流电源,可以满足共溅射和连续溅射的需求。另外,还配有2个电源切换器,允许每个电源在4个不同靶枪间通过程序控制自动切换。基片最高可加热到800摄氏度,兼容射频偏压清洗功能,并配置独立的偏压电源。