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等离子体增强化学气相沉积仪
等离子体增强化学气相沉积仪 预约   送样
联系人
何金金
邮箱
hejj@shanghaitech.edu.cn
电话
021-20684672
购买日期
2016/11/08
主要规格和技术参数
最大可沉积晶圆8英寸；电极加热最高温度不低于400摄氏度；氮化硅薄膜最低应力不高于50MPa
主要功能及特色
能够沉积氧化硅、氮化硅、碳化硅以及多晶硅薄膜
主要附件及配置
配备CF4、N2O、N2、H2、NH3、10%SiH4/Ar、CH4、O2共8路气体； 射频（13.56MHz）发生器功率不小于300瓦，并配有自动匹配网络单元