半导体器件分析仪
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联系人
张超
邮箱
zhangchao1@shanghaitech.edu.cn
电话
021-20685517
购买日期
2017/08/08
主要规格和技术参数
1、中功率IV测试模块的电流测量最小分辨率≤10fA,添加前置放大模块后可达到0.1fA分辨率; 2、中功率IV测试模块的电压测量最小分辨率≤0.5uV。 3、中功率IV测试模块最大输出电压范围不小于±100V,电流不小于±100mA 。 4、中功率IV测试模块支持最小500us脉宽的脉冲测试。 5、电容测试频率范围满足1kHz~5MHz。 6、电容测量精度≤±0.11%@10kHz,1nF。
主要功能及特色
1、在 0.1 fA - 1 A / 0.5 µV - 200 V 范围内执行精确的电流-电压(IV)测量,支持点测量、扫描测量、采样和脉冲测量 2、最小 100 μs 采样(时域)测量,最小脉宽 500 μs,100 μs 分辨率,准静态电容电压(QSCV)测量,具有泄漏电流补偿 3、在 1 kHz 至 5 MHz 频率范围内执行交流电容测量,支持准静态电容-电压(QS-CV)测量 4、先进的脉冲 IV 测量和超快 IV 测量,最低采样间隔为 5 ns(200 MSa/s) 5、高达 40 V 的高压脉势,适用于非易失存储器测试
主要附件及配置
Mid Power Source Monitor Unit (B1511B) - MPSMU * 3个 Atto Sense Unit - ASU * 2个 Capacitance Measurement Unit (B1520A) - CMU * 1个 Pulse Generator Unit (B1525A) - HV-SPGU * 1个 GNDU *1个