（1） 适用于小于或等于210 mm*×210mm基片沉积及破片加工 （2） 样品台室温至500℃可控，尺寸不小于210 mm*×210mm，可放样品高度不小于10mm （3） 源瓶系统：室温至120℃可控，控制精度达到或优于：±1℃ （4） 加热箱：室温至120℃可控，控制精度达到或优于：±1℃，所有管路放置在加热箱内实现一体式加热，加热箱内管路温度均匀性达到或优于±5℃

设备适用于尺寸210 mm*×210mm或以下的硅片、玻璃、高分子膜等片材的镀膜加工，适配工艺为氧化物、氮化物、金属等原子层沉积镀膜工艺。

（1） 主机及软件1套 （2） 臭氧系统1套 （3） 热阱加热器1套