最高工作压力 50 bar；最高加热温度约 3000 ℃；采用氙短弧灯光学加热及上下双椭球反射镜结构；生长/移动速度约 0.1–200 mm/h，最大移动行程约 195 mm；样品旋转速度 0–70 rpm；支持 Ar、O₂及其混合气氛，气体流量可独立控制；极限真空度可达约 \(1\times10^{-5}\) mbar

用于高温、高压及可控气氛条件下的光学浮区法单晶生长，无坩埚污染，适合氧化物、金属间化合物及含易挥发组分材料等单晶制备。采用垂直双椭球镜光学系统，可获得较均匀、稳定的熔区加热；光功率可通过机械光阑连续调节。上下样品杆可独立升降及旋转，支持高压氧气、惰性气体及混合气氛下生长；配备视频实时监控和 PLC 自动控制，可实时调节生长速度、转速、气压、气流及加热功率等参数。

氙短弧灯光源及电源系统、上下椭球反射镜光学加热系统、50 bar 高压透明生长腔、样品杆升降及旋转驱动系统、气体供给及质量流量控制系统、真空系统及涡轮分子泵、机械功率光阑、CCD 熔区监控系统、PLC 控制系统及触摸屏、循环冷却水系统、样品夹具及保护管；根据具体采购配置可配双色高温计、气体净化系统及后加热装置。