尊敬的校内外用户：

      为更好地支撑和服务广大校内外用户科学研究工作，帮助大家更好地利用电子束曝光机（EBL-F125G8）开展工作，中心特编制了《上海科技大学量子器件中心电子束曝光机（EBL-F125G8）用户手册（第一版）》，内容包括技术指标、相关光刻胶标准工艺、数据结构、写场位置、曝光时间以及预约使用规则等。

      现予发布，仅供学习参考。

上海科技大学量子器件中心

2023年4月27日

下载地址：202304-上海科技大学量子器件中心电子束曝光机(EBL-F125G8)用户手册（第一版）

目录

1. 设备技术指标

2. 光刻标准工艺

2.1 基于ZEP520A的光刻标准工艺

2.1.1 特征

2.1.2 属性

2.1.3 ZEP520A的光刻工艺流程

2.1.4 旋涂曲线

2.1.5 旋涂曲线(稀释参考数据)

2.1.6 前烘温度对清除剂量的影响

2.1.7 显影温度对清除剂量的影响

2.1.8 显影时间对清除剂量的影响

2.1.9 ZEP520A剂量与厚度的对比曲线

2.1.10 安全处理预防措施

2.2 基于电子束光刻胶PMMA的光刻标准工艺

2.2.1 特征

2.2.2 PMMA的光刻工艺流程

2.2.3 旋涂曲线

2.3 基于电子束光刻胶AR-P 6200的光刻标准工艺

2.3.1特征

2.3.2 AR-P 6200的光刻工艺流程

2.3.3 旋涂曲线

3. Beamer:邻近效应修正PEC(Proximity Effect Correction)

3.1 使用邻近效应修正PEC

3.2 未使用邻近效应修正PEC

4. Mark的相对位置与尺寸大小

4.1 Mark的相对位置

4.2 Mark的尺寸大小

4.3 Mark与版图之间的尺寸大小 -

5. 数据结构

6. 写场的位置固定

7. 定剂量与曝光时间

8. 设备预约使用规则