1.2.1 真空腔室：腔体采用SUS304不锈钢制作，镀膜室内净尺寸不小于L440×W400×H450；方箱式，前门旋转往右打开式；后门为侧开式门，能进行设备清理维护；镀膜室配置独立机架，应能在脱离手套箱条件下单独调试，与手套箱之间通过镀膜室前门框密封连接，要求对接方便、密封可靠； 1.2.2 真空系统：配置复合分子泵+旋片式机械泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计； 1.2.3 真空极限达到或优于：4.0×10-5Pa； 1.2.4 漏率≤0.8Pa/h，停泵12小时后，设备真空度≤6Pa； 1.2.5 抽速从大气抽至8.0×10-4Pa的时间≤30min；干燥氮气环境抽至8.0×10-4Pa的时间≤10min； 1.2.6 ★基片台尺寸：圆形基片台结构，可承载最大φ200mm基片或更优；基片台磁流体密封，电机驱动；（配制4个样品托，图形按招标人要求定制） 1.2.7 ★基片台旋转、加热基片旋转：0～30转/分钟；加热：室温～550±1℃。可控可调，配置PID智能闭环温控系统，温度不均匀性≤±5%； 1.2.8 ★溅射靶：配2只4英寸靶；配备2台不小于1000W射频电源，一台不小于1000W直流脉冲溅射电源；一台不小于1000W脉冲偏压电源用于等离子清洗样品；射频电源和直流电源可以切换； V靶材基片之间距离、角度可调，调节范围广于80-110 mm, 各溅射靶配独立挡板及靶罩。 1.2.9 工作方式：各靶应可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从下向上溅射镀膜； 1.2.10 工作气路系统：质量流量控制器及量程范围：Ar，100sccm；N2，50sccm；O2，10sccm；

磁控溅射镀膜仪目前纳米光电器件研究中必备的大型仪器设备之一，应用范围广泛，可以适用于开发纳米级单层、多层及复合膜层等，还适用于制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜、介质膜等，例：银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、氮化钛、氮化铬、ITO、二氧化硅等。