SI 500 C 的显著特点包括平板感应耦合等离子体（ICP）源、带氦气背板冷却的低温下电极、高传导真空系统和 RFC 控制。低温电极覆盖宽的温度范围，从-150°C 到+150°C。采用液氮的低温刻蚀工艺与采用水-乙二醇混合物的室温刻蚀工艺之间可自动切换。在同一设备上实现低温ICP工艺和室温Bosch工艺、且能实现两种工艺模式之间的自动切换。低温ICP刻蚀具有侧壁光滑的优点，是很多纳米材料研发、微流道、微光学等应用所必需的。常温BOSCH刻蚀具有高刻蚀速率的优点，适合高深宽比、高刻蚀深度等应用。

本平台的该设备配置的工艺特气有：SF6、C4F8、CHF3、 CF4、O2、Ar，主要用于深硅刻蚀，可用光刻胶、SiO2、SiNx做掩膜，严禁刻蚀用金属做掩膜的样品。最大可放置 8 寸硅片；小样品必须用光刻胶粘到 6 寸载物台或粘到 4 寸硅片或二氧化硅片然后放到 4 寸载物台上。