一、核心规格与技术参数 电流-电压（I-V）测量单元 电压/电流范围：±210 V / ±100 mA 或 ±210 V / ±1 A 电流分辨率：100 fA（标配），选配放大器可达 0.1 fA（10 aA） 超低频电容测量：0.01 Hz–10 Hz，灵敏度 1 pF–10 nF36 输入阻抗：>10¹⁶ Ω，支持四象限操作及2线/4线连接49 电容-电压（C-V）测量单元 频率范围：1 kHz–10 MHz 偏置电压：±30 V（差分±60 V），可扩展至±210 V（差分±420 V）36 AC阻抗测量：支持C-V、C-f、C-t连续扫描1 脉冲I-V测量单元 采样率/分辨率：200 MSa/s，5 ns 脉冲幅值/电流：±40 V（80 V p-p），±800 mA 瞬态波形捕获：支持多电平脉冲（Segment ARB®模式，10 ns可编程分辨率）379 扩展模块性能 CVIV多通道开关：自动切换I-V与C-V测量，无需重新布线36 远程放大器（RPM）：将PMU电流灵敏度提升至数十皮安，降低电缆电容干扰

二、主要功能 多参数同步测试 同步执行 I-V直流特性、C-V阻抗及超快脉冲I-V测量，覆盖半导体全电气特性分析 支持瞬态波形捕获与任意波形生成，适配动态器件测试（如功率模块开关特性） 智能操作与高效流程 Clarius软件平台： 预置450+测试模板（如MOSFET门限电压、氧化物厚度分析） 实时参数提取、数据绘图及算数运算 嵌入式专家视频：多语言（中/英/日/韩）操作指导，降低学习门槛，缩短设置时间50% 模块化灵活扩展 主机支持 9个插槽，可配置多SMU/CVU/PMU单元 CVIV模块：四通道自动切换，实现I-V/C-V测量无缝迁移 兼容手动/半自动探针台及低温控制器（如LakeShore 336） 行业应用覆盖 半导体可靠性测试：负偏置温度不稳定性（NBTI）、热载流子注入（HCI）等应力分析 纳米器件与材料：碳纳米管电学特性、范德堡法电阻率测量（10 aA级分辨率） 功率器件动态测试：支持SiC/GaN模块短路测试（10 kA级），搭配光隔离探头捕获高速开关波形