设备占地面积200cm*150CM 最大可放置直径6英寸晶圆，向下兼容 高性能射频电源，频率13.56MH，最大功率≥500W，自动匹配调节 反应温度：最高450℃，温度控制精度±1℃

可在较低温度下沉积高质量的SiO2、Si3N4、SiOxNy等介质薄膜，并且具有一定的孔洞填充能力， 6英寸晶圆沉积均匀性能达到±3%

两只特气检测器