机台特点：一体型设备，参考占地面积 1400mm（长）×1000mm（宽） 支持基片尺寸：4/6英寸硅片及以下 射频电源：等离子体源1000W，13.56MHz，自动匹配；偏置源 300W，13.56MHz，自动匹配

用于氧化硅、氮化硅等材料刻蚀，工艺性能：±5%@4英寸（去边） 温度控制：载片台温度可控（循环水冷），背氦控温，控温范围5℃-室温 双腔系统：自动机械手传输，程控完成

4寸、6寸陶瓷载盘