采用感应耦合等离子体方式产生高密度高功率等离子体，利用Bosch工艺，实现Si的深度刻蚀。

本底真空： 3*10-6Torr（反应腔，12小时内达到）；1*10-1mbar（传送腔） 真空漏率：≤5mTorr/min 射频发生器：上电极：2MHz，最大功率3500W；下电极：100KHz，最大功率100W 下电极温度：-40℃~40℃ 样品尺寸：最大4寸 刻蚀速率：＞7μm/min 刻蚀深度：500μm 选择比（SPR3612）：＞100:1 片内/片间均匀性：＜3%