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分子束外延设备（MBE系统）
联系人
汤辰佳
邮箱
sunlu@shanghaitech.edu.cn
电话
02120685417
购买日期
2016/08/17
主要规格和技术参数
三腔室分子束外延设备，可生长3英寸的II-VI，III-V，及其它薄膜
主要功能及特色
三腔室分子束外延设备，可生长3英寸的II-VI，III-V，及其它薄膜
主要附件及配置
生长室
· 极限真空5E-11Torr
· 最大3英寸衬底
· 12个源炉口
· 衬底最高加热至1000°C
缓冲室
·极限真空5E-10Torr
·多腔互联
·线性手动传输
进样室
· 快开门设计
· 可装载4片晶圆