极限真空：1E-7Pa 极限生长氧压（RHEED运行状态下）：20Pa 衬底极限温度：1000℃ 激光极限频率（不使用水冷）：10Hz 可生长样品最大尺寸8*8mm

激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术，它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。 在Laser MBE中，使用脉冲激光源，而且与通过石英窗口和超高真空系统隔离。高能量密度的脉冲激光将靶材局部气化而产生激光焰，被剥蚀的粒子获得很高的动能，达到可以加热的衬底表面形成薄膜。薄膜的生长过程可由反射式高能电子衍射(RHEED)系统监控。RHEED的衍射条纹提供薄膜生长的晶体结构和表面形貌，强度振荡判断薄膜生长的机理。其强度振荡可由弹性散射模型进行解释。

248nm准分子激光器 反射高能电子衍射及对应荧光屏和CCD 激光加热装置及水冷机