PLD：真空优于5E-10 Torr；加热系统大气环境1000摄氏度，真空环境1200摄氏度，激光加热温度偏差正负1摄氏度；样品台旋转转速20RPM，XY轴可动范围正负12.5 mm，Z轴可动范围100 mm；有6个靶座，各靶材座可自转、公转和摆动，Z轴可上下运动40 mm；拥有独立气路和200 SCCM流量控制器。 ALD：真空优于5E-10 Torr；最高加热至500摄氏度，加热温度偏差正负1摄氏度；有三个源瓶；拥有独立气路和200 SCCM流量控制器。 Sputter：真空优于5E-10 Torr；最高加热至800摄氏度，加热温度偏差正负1摄氏度；Z轴可上下运动40 mm；拥有独立气路和200 SCCM流量控制器；有1个强磁靶位和5个弱磁靶位。

组合式薄膜生长系统是集合了脉冲激光沉积（PLD）、原子层沉积（ALD）以及磁控溅射的综合性的薄膜生长系统，可以实现单质金属、化合物、氧化物等多种薄膜材料以及薄膜异质结的高质量生长。