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分子束外延生长设备
分子束外延生长设备
联系人
陈宇林, 汤辰佳
邮箱
电话
购买日期
2019/02/22
主要规格和技术参数
生长室 · 极限真空5E-11Torr · 最大2英寸衬底 · 6个源炉口 · 一个Egun源炉 · 衬底最高加热至1600°C 缓冲室 ·极限真空5E-10Torr ·多腔互联 ·线性手动传输 进样室 · 快开门设计 · 可装载6片晶圆
主要功能及特色
原子级精度薄膜生长的薄膜沉积系统,核心结构包括超高真空腔体、分子束源、衬底加热模块及原位监测装置反射高能电子衍射仪。
主要附件及配置