1，最大样品尺寸直径4英寸晶原； 2，工艺腔本底真空<=5e-7 mbar; 3，预真空室本底真空<=1e-6 mbar; 4, 离子束有效束径 >=218mm 5,离子束最大束压，不低于1000eV，最大束流密度可达1mA/cm2 6,载片工件台，可旋转，转速可调，转速 5-20RPM； 7，载片工件台，角度可倾斜，倾斜角度可调，范围 90~~ -60度，精度+/-0.1度； 8，配HIDEN Analytical Ltd 品牌，SIMS二次离子质谱仪终点监测系统 9，SIMS自动识别终点和设备控制融合 10，刻蚀速率低至15nm/min (4寸晶原，SiO2膜） 11, 刻蚀均匀性 <=2% (4寸晶原，SiO2膜）

通过预真空室把样品传入工艺腔，并固定在载片工件台上。工艺气体Ar，利用辉光放电原理将氩气Ar分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用 。属纯物理刻蚀。 配Hiden Analytical Ltd品牌，SIMS二次离子质谱仪终点检测系统，与设备控制融合，自动识别终点。 属于物理刻蚀，可以刻蚀各种材料。

主要配置： 离子束刻蚀主机，真空反应腔室，离子束源，真空系统，控制系统 ，真空进样装置loadlock，SIMS二次离子质谱仪终点监测系统