分辨率：标准模式 4.0nm (20kV)， 低真空模式 5.0nm (20kV) 放大倍率： 30~300,000倍 加速电压 ：0.5~20kV 样品台移动范围：X：max 80mm，Y：max 40mm，Z：5mm～48mm（WD） T：-10°~ + 90°，R：360° （Z，T，R轴手动） 最大样品尺寸：直径32mm，高度40mm 探测器：二次电子探测器、背散射电子探测器（成份像、形貌像、立体像）、EDS探测器(SDD)