探测器：500 μm 硅 探测器类型：反向偏压混合硅二极管阵列 像素尺寸：55 x 55 μm 有效探测面积：1R 单芯片：14 x14 mm2 像素数：1R单芯片：256 x 256 读出噪音 / 信噪比 (SNR) ：0，可设置阈值。信噪比：107:1 量子检测效率 DQE，60keV：零频率下 : 1；奈奎斯特频率下: 0.45 调制传递函数 MTF，60keV：奈奎斯特频率下 >0.62 ( 决定于工作模式) 帧速( 连续)：全幅读出(最大): 18800fps（1bit）, 3600 fps (6bit), 1800 fps (12bit), 800fps (24bit); 局部区域读出(最大)：7200fps (128x256, 6bit), 14400 fps (64x256, 6bit) 间隙时间(连续)：0 μs 动态范围：最大 24 位，每像素高达 16,777,216 计数 ; 触发器：3.3 / 5 V TTL脉冲或软件中控制 ; 能量范围：30-300keV 软件：4D STEM 软件，Labview软件和TCP/IP协议，GM3集成界面。

直接电子探测：单电子事件的无噪声检测。 动态范围：高达24位计数深度，在一幅图像中呈现 1 : 1.67x107 的强度范围，是记录衍射花样的理想选择。 有效的零噪音读出：每个像素中 2 个阈值鉴别器 , 实现零读取噪声。 电荷加和模式：像素之间通讯设计，减轻电荷共享效应，最大限度地提高 DQE 和 MTF。 高速数据读出：千赫兹的帧速率和连续模式下零死时间，提供了前所未有的实验灵活性， 最大限度地减少了样品漂移等的影响，实现单点曝光和“泵浦探测”动态实验。 宽能量范围和辐射耐受性：最低 30keV 阈值，使得低能电子显微成像成为可能。