通过交替通入前驱体在物体表面以单原子层的形式进行薄膜生长。所得的薄膜具有均匀、保形、厚度精确控制等优点。薄膜生长温度范围室温至300摄氏度。源瓶加热温度范围室温至110摄氏度。电磁阀开阀间隔最小可达100ms。搭载有臭氧发生器和等离子体发生器。等离子体发生器最大功率可达300W。

可以进行Al2O3,ZnO,HfO2等金属氧化物的纳米级薄膜沉积。可以使用臭氧和氧气等离子体作为共反应物。搭载有石英微晶天平可以实时监控薄膜沉积速率。

臭氧发生器、石英微晶天平（QCM）、等离子体发生器