1. 超高真空环境，可烘烤至150℃，烘烤后真空度优于7x10-9Pa。 2. 样品制备腔和输运测量腔在同一超高真空环境中，能够实现样品的原位（不破坏超高真空）输运测量。 3. 在样品制备腔中有4个用于制备样品的蒸发源，1个用于制备电极的蒸发源。 4. 系统内能高温处理样品/衬底至1000℃。并能在样品制备腔中，实现衬底在最高500℃下进行样品生长。 5. 样品的最小线度可达100微米。 6. 在样品制备腔中能够在生长完样品后原位制备电极，在样品上电极间距最小可达10微米、电极宽度最小可达10微米。 7. 输运测量腔中能够利用探针进行原位电导测量和原位反常霍尔系数测量。在输运测量腔中能够进行样品磁化。 8. 预留实现背栅电压控制功能的空间；预留在输运测量过程中实现扫描探针测量的空间。

原位多探针输运测量系统主要用于MBE/PLD生长薄膜的原位电学的输运测量。其原理是通过原位薄膜生长与电极蒸镀，并利用真空压电陶瓷马达和步进电机驱动微纳加工探针组和独立探针与薄膜形成接触，通过外电路进行电学输运测量。此系统通过真空环境和制冷技术，能够实现从低温到室温的样品温度控制，从而从输运性质上探索MBE/PLD薄膜超导，磁性，金属绝缘体转变等重要物理性质。