主要规格和技术参数
(1)椭偏角度测量范围:Ψ:0º– 90º,Δ:0º– 360º,全角度范围无测量死角、并可一次测量完成。
(2)光谱范围:190 nm - 2500 nm,覆盖紫外、可见光、近红外段,全光谱范围内自动测量。
(3)高度、倾斜度可调节的样品载物台,直径 150mm
(4)样品尺寸:可测量最大6英寸直径样片,样品最大厚度8 mm
(5)膜厚测量范围:至少1 nm - 100 µm
(6)可测量层数:单层膜、多层膜,软件上对层数无限制。
(7)黑白 CCD 摄像头,1.3 百万像素,带照明和成像光学件
(8)入射角范围:20° - 100°,最小步进值0.002°。
(9)椭偏测量准确度:δ() ≤ ±0.03°, δ(Δ) ≤ ±0.06°
(10)膜厚测量精度:≤ 0.015 nm (100 nm SiO2/Si标准片,1 Sigma标准偏差)
(11)折射率n测量精度:≤ 0.0002 (100 nm SiO2/Si标准片,1 Sigma标准偏差)
(12)测量时间:< 20秒 (测量整个光谱范围内的Ψ / Δ曲线,不少于1500个波长点)
主要功能及特色
测量半导体、电介质、聚合物等无机、有机薄膜的膜厚、折射率n和消光系数k等。可测量单层膜、多层膜,还可进行材料组分、梯度不均匀性、表面和界面粗糙度、以及各向异性特性的测量和分析;可处理真实样品的各种特性,如退偏、非均匀性、散射、背反射等。
主要附件及配置
原位椭偏测量液体池:一对测量窗口、特氟龙材料、流体静止。
加热液体池:可加热到70°C;入射角50/60/70度;液体可流动。
加热样品台,可加热到300°C;温度稳定度1°C;加热区域直径50 mm,尺寸为宽 90 mm,深 92 mm,高 95 mm