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主要规格和技术参数
1.涡轮分子泵，抽速≥ 1500 l/s，前级泵干泵，抽速≥ 20 m3/h。
2.反应腔真空漏率< 2*10-4 mbar L/s。
3.8小时以内达到本底真空≤ 1*10-6 mbar。
主要功能及特色
本设备采用三螺旋平行板天线（PTSA）作为等离子体源，利用其所产生的的高离子密度和低离子等量的均匀等离子体，对三五族化合物半导体进行低损伤和纳米结构的刻蚀。主要用于6寸及以下样品。
主要附件及配置
i. 配置LL和Endpoint检测功能。
ii. 上电极PTSA源射频发生器：频率13.56 mHz，最大功率1200 W；下电极偏置射频发生器：频率13.56 mHz，最大功率600W。
iii. 下电极温度控制范围:-30℃ ~ 250℃。
iv. ICP源等离子体密度可到最高1*1012 cm-3。