SEM 加速电压：0.1 ～ 30.0 kV, 浸没式肖特基电子枪 分辨率 (最佳WD时)：1.2 nm (15 kV, GB模式) 1.6 nm (1 kV, GB模式) 倍率：x20～1,000,000 （采用LDF模式） 探针电流：1 pA～300 nA 样品台：计算机控制6轴测角样品台 X: 50 mm，Y: 50mm，Z: 1.5～40 mm，R: 360°，T: -5～70°， FZ: -3.0～+3.0 mm FIB 离子源：镓（Ga）离子源 加速电压: 1 ～ 30 kV 图像分辨率: 4.0 nm (30kV) 倍率:x50 ～ 1,000,000 探针电流: 1 pA ～ 90 nA, 13 档 加工形状: 矩形、线、点、圆、位图 并配备牛津的OMNI Probe400 纳米操作机械手 铂（Pt）和碳（C）气体注入系统（GIS）

SEM可以进行高分辨率观察和高速分析；FIB镜筒利用最大探针电流为90nA的高电流密度的Ga离子束，对样品进行高速刻蚀加工；OMNI Probe400 纳米操作机械手可实现纳米级别的微操作；气体注入系统（GIS）可进行表面沉积和镀膜

配有LED/UED/USD/BSD探测器，实现高分辨观察 配备牛津的OMNI Probe400 钨针（W） 纳米操作机械手和外置玻璃针机械手 Pt和C双气体注入系统