2号和5号腔极限真空：5*10-7Torr，3号和4号腔极限真空：5*10-8Torr。Ar气流量：0-200sccm，氮气气流量：0-200sccm。

2号腔：干法刻蚀。3号腔：Mo薄膜。4号腔：AlN薄膜，Al膜。5号腔：AlScN镀膜或Mg、Hf材料，如生长非目前使用的Al(Sc)N，需要自配内衬； 交叉污染要求：2号腔体：硅基； 3、4、5号腔体：硅基/蓝宝石/SiC/LN等非易挥发性衬底，其中衬底为LN时仅允许室温生长；表面禁止带光刻胶；衬底表面可裸露的金属：Au,Pt,Mo

2个25插槽cassette。2号和5号腔：分子泵。3号和4号腔：冷泵。3号和4号：ESC吸附基片，保证薄膜均匀性。 最大基底尺寸8寸，其中6寸及以下需使用载硅，载硅属消耗品，根据镀膜厚度收相应费用；