SiO2材料HF蒸汽干法刻蚀： (1)低压刻蚀能力，使得副产物在高于常温(一般45℃)仍保持气相状态； (2)工艺兼容多种金属材料以及常见的MEMS材料，包括铝和金，不需要额外的材料保护； (3)HF与N2具备脉冲输送功能； (4)刻蚀速率达到100A/min~1000A/min.

SiO2材料HF蒸汽干法刻蚀是无水HF气相刻蚀工艺，采用以气态乙醇作为载气与气态HF混合后，对SiO2介质进行选择性刻蚀.。主要用于≤4寸样品。

主机台，乙醇存储装置，HF储存装置等