1) 典型工艺温度范围：100℃~700℃（热电偶） 2)升温速率：硅衬底10～100℃/sec(可编程) 3)降温速率：硅衬底 10～100℃/sec(不可编程) 4)温度控制重复性：±1℃（在温度为350℃，测量5片） 5)温度测量计包括高温计和热电偶的精确度：±1℃ 6)温度控制均匀性：±5℃（4寸硅片） 7)工艺气体(N2 )

为接触合金（形成欧姆接触等快速退火工艺设计、制造的退火系统

主机台、微机控制器、冷水机、石英托盘等