最大可容纳4英寸样品，向下兼容小样品（不接受设备培训，只接受送样测试服务！！！）

刻蚀硅光电器件等

1. 进样系统和反应腔室 1.1 自动真空进样装置（LoadLock），可传载4英寸及以下样片 1.2 整块铝锭制成的反应腔体，保证低的真空漏率 1.3 反应腔体配备有射频阻挡功能的等离子体观察窗口，并预留有终点监控窗口 1.4下电极尺寸≥240mm，可电阻丝加热以及采用冷水机控温,冷水机控温范围10℃~60℃，控温精度±0.5℃. 1.5 13.56MHz射频源，功率≥300W，可实现快速自动匹配 1.6 ICP源-3kW,13.56MHz射频发生器，直径180mm ,ICP源采用管式螺旋结构，提供等离子体浓度(>1011-1012cm-3)适宜且对样品低损伤. 1.7 ICP工艺腔室带200mm抽排气口和视窗 2. 真空系统 2.1 自动压力控制器 2.2 反应腔室配备分子泵应为抗腐蚀、磁悬浮结构，带自动吹扫功能 工艺腔室用分子泵采用Edwards STPA1603CV, 抽速1600l/s,前级泵采用Edwards IGX100N，抽速 100m³/hr. 预真空室采用Edwards nXDS15i干泵，抽速>15m³/hr 2.3 反应腔室漏率：<1mTorr/min 2.4 LoadLock真空系统与反应腔室真空系统相互独立 2.5系统启动30分钟内本底真空度(RH70%) <210-5Torr 2.6极限真空度(在12小时以内) <310-6 Torr 3. 气路系统 3.1反应气路8路，配备8路气箱。 3.2 使用半导体设备通用质量流量计（MFC），无毒气体采用MKS 1179A、有毒气体采用MKS 1479A 、MFC控制精度+/-1%、MFC计量重复性+/-1% 3.3系统应具备压缩空气、冷却水欠压保护机构、真空互锁功能以及电源缺相报警功能 3.4系统软件应具备分级管理能力，管理员级和操作员级对系统的操作级别应有所不同。对于任何人员的操作行为机器都应留有记录