1.生长温度限制：25~300℃； 2.衬底限制：Ⅲ-Ⅴ/硅基及基于蓝宝石/SiC等非挥发性衬底的Ⅲ-Ⅴ材料膜系； 3.衬底尺寸：≤4英寸

原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。 工艺功能：生长Al2O3、AlN、SiO2、TiO2、HfO2

射频电源，干泵、机械泵、反应腔