最大可容纳4英寸样品，向下兼容小样品

SiNx刻蚀工艺 *1. 刻蚀速率：> 40nm/min *2. 对光刻胶选择比：>1:1 SiO2刻蚀工艺 *1. 刻蚀速率：> 25nm/min *2. 对光刻胶选择比：>2:1

1. 进样系统和反应腔室 *1.1 自动真空进样装置（LoadLock），可传载4英寸及以下样片 *1.2 整块铝锭制成的反应腔体，保证低的真空漏率 1.3 反应腔体配备有射频阻挡功能的等离子体观察窗口，并预留有终点监控窗口 1.4下电极尺寸≥200mm，可承载8英寸及以下样片 *1.5 13.56MHz射频源，功率≥600W，可实现快速自动匹配 2. 真空系统 2.1 自动压力控制器 2.2 反应腔室配备干泵应为抗腐蚀、磁悬浮结构，带自动吹扫功能 工艺腔室前级泵采用Edwards IGX100N，抽速 100m³/hr. 预真空室采用Edwards nXDS15i干泵，抽速>15m³/hr 2.3 反应腔室漏率：<1mTorr/min 2.4 LoadLock真空系统与反应腔室真空系统相互独立 3. 气路系统 3.1反应气路≥5路，配备8路气箱。 3.2 使用半导体设备通用质量流量计（MFC） 无毒气体采用MKS 1179A、MFC控制精度+/-1%、MFC计量重复性+/-1%