最大可沉积晶圆4英寸；电极加热温度300摄氏度；氮化硅、氧化硅薄膜<500nm;应力<300MPa

SiO2沉积工艺（SiH4, N2O, N2）;SiNx沉积工艺（SiH4, N2, NH3）

1. 进样系统和反应腔室 1.1 自动真空进样装置（LoadLock），可传载4英寸及以下样片 1.2 整块铝锭制成的反应腔体，保证低的真空漏率 1.3 反应腔体配备有射频阻挡功能的等离子体观察窗口，并预留有终点监控窗口 1.4下电极尺寸≥240mm， 1.5 13.56MHz射频源，功率≥600W及500W低频射频源可实现快速自动匹配 2. 真空系统 2.1 自动压力控制器 2.2 反应腔室配备大抽速干泵、磁悬浮结构，带自动吹扫功能 前级泵采用Edwards IGX600，抽速620m³/hr. 预真空室采用Edwards nXDS15i干泵，抽速>15m³/hr 2.3 LoadLock真空系统与反应腔室真空系统相互独立 3. 气路系统 3.1反应气路≥5路，配备8路气箱。 3.2 使用半导体设备通用质量流量计（MFC），无毒气体采用MKS 1179A、有毒气体采用MKS 1479A 、MFC控制精度+/-1%、MFC计量重复性+/-1% 3.3系统应具备压缩空气、冷却水欠压保护机构、真空互锁功能以及电源缺相报警功能 3.4系统软件应具备分级管理能力，管理员级和操作员级对系统的操作级别应有所不同。对于任何人员的操作行为机器都应留有记录