1. 衬底加热：Ta Substrate, 20-800℃, ± 0.1℃ 2. 标准蒸发源：Au, Al2O3 Crucible, 300-1500℃, ± 0.1℃, 0.1-1 Å/s 3. 标准蒸发源：Cu, Al2O3 Crucible, 300-1500℃, ± 0.1℃, 0.1-1 Å/s 4. 高温蒸发源：Cr, Al2O3 Crucible, 300-1800℃, ± 0.1℃, 0.1-1 Å/s 5. Cold-Lip蒸发源：Al, Pyrolytic Graphite Crucible, 300-1400℃, ± 0.1℃, 0.1-1 Å/s

1.标准蒸发源内部采用独特的加热丝设计，可确保坩埚受热均匀，同时有更好的使用稳定性，和更长的使用寿命。中间采用多层线接触式钽筒隔热，大大降低了热辐射损失，提高了热量利用率，使其在较低的功率下即可达到较高的工作温度。蒸发源水冷系统采用内置水冷套设计，屏蔽了高温加热区域对腔体内壁的辐射，可有效减少腔壁放气，为样品生长提供了更好的真空条件，同时提高了温度测量精度。除了标准加热丝外，热口和冷口型的加热丝设计可以满足特殊要求的蒸发材料。 2. 高温蒸发源设计用于2000°C以下的超高真空系统运行。陶瓷支撑加热元件的概念在这里不再有效，因为：大多数陶瓷在如此高的温度下是半导的，因此很难绝缘；PBN在1500°C以上分解显著。为了克服这些问题，制作一种自支撑加热丝，成为开发高温蒸发源的关键。有了这种由粗钨丝制成的自支撑加热丝，更高版本的高温蒸发源甚至可以达到2000°C。为防止加热元件对法兰的辐射加热，同时能够在最大功率运行时冷却电极，高温蒸发源配置了一个内置电极水冷套。同时，为了防止腔室被辐射加热，建议增加外置水冷套。

1. 蒸发源:衬底加热：标准蒸发源/高温蒸发源/Cold-Lip蒸发源 2. 挡板(MBE Shutters)：Ta挡片（手动/气动) 3. 石英晶体谐振器(quartz crystal oscillator): INFICON STM-2 4. MBE高低温样品架-4轴