1) 典型工艺温度范围：400℃～1150℃（红外高温计）和100℃~600℃（热电偶） 2)升温速率：硅衬底10～100℃/sec(可编程) 3)降温速率：硅衬底 10～100℃/sec(不可编程) 4)温度控制重复性：±1℃（在温度为1150℃，测量5片） 5)温度测量计包括高温计和热电偶的精确度：±1℃（100℃～1150℃） 6)温度控制均匀性：±5℃（6寸硅片，温度:1150℃） 7)三路工艺气体(Ar, N2, O2)

专门为接触合金（形成欧姆接触）、注入激活、形成硅化物、生长氧化层等快速退火工艺设计、制造的退火系统