工作状态下腔体内气压值小于5×10-9 Pa，配备有1. 氩离子束刻蚀，用于加工和清洁样品的表面；2. 高能反射式电子衍射仪，用于表征样品表面的质量以及监控薄膜样品的原位生长；3.真空泵机组，用于获得系统必备的超高真空环境；4. 晶振系统，用于测量生长薄膜的厚度；5.高温热蒸发源和高压电子束蒸发源，用于薄膜材料的原位生长。6. 真空规，用于检测设备真空以及实现安全联锁。7. 闸板阀，用于系统各个腔体之间的隔绝或密封。7. 用于电极蒸镀的高纯度金属材料和用于实验研究的多种高质量衬底。

实现测量单晶样品表面的原位处理，还可以实现分子束外延方法原位生长高质量单晶薄膜，并集成了高能电子衍射仪等原位薄膜生长检测仪器，并可实现原位电极的蒸镀。